IKW50N60H3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	100.02kr	125.03kr
2 - 2	95.02kr	118.78kr
3 - 4	90.02kr	112.53kr
5 - 9	85.02kr	106.28kr
10 - 19	83.02kr	103.78kr
20 - 29	81.02kr	101.28kr
30 - 174	78.02kr	97.53kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	100.02kr	125.03kr
2 - 2	95.02kr	118.78kr
3 - 4	90.02kr	112.53kr
5 - 9	85.02kr	106.28kr
10 - 19	83.02kr	103.78kr
20 - 29	81.02kr	101.28kr
30 - 174	78.02kr	97.53kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 174

Set med 1

IKW50N60H3. C(tum): 116pF. Kostnad): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 130 ns. Diod tröskelspänning: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Märkning på höljet: K50H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 333W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 235 ns. Td(på): 23 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!