IKW30N60H3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	95.85kr	119.81kr
2 - 2	91.06kr	113.83kr
3 - 4	86.26kr	107.83kr
5 - 9	81.47kr	101.84kr
10 - 14	79.55kr	99.44kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	95.85kr	119.81kr
2 - 2	91.06kr	113.83kr
3 - 4	86.26kr	107.83kr
5 - 9	81.47kr	101.84kr
10 - 14	79.55kr	99.44kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 14

Set med 1

IKW30N60H3. C(tum): 1630pF. Kostnad): 107pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 117 ns. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: K30H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 187W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 207 ns. Td(på): 21 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!