IKW25T120

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	128.28kr	160.35kr
2 - 2	121.86kr	152.33kr
3 - 4	115.45kr	144.31kr
5 - 9	109.03kr	136.29kr
10 - 14	106.47kr	133.09kr
15 - 19	103.90kr	129.88kr
20 - 132	100.06kr	125.08kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	128.28kr	160.35kr
2 - 2	121.86kr	152.33kr
3 - 4	115.45kr	144.31kr
5 - 9	109.03kr	136.29kr
10 - 14	106.47kr	133.09kr
15 - 19	103.90kr	129.88kr
20 - 132	100.06kr	125.08kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 132

Set med 1

IKW25T120. C(tum): 1860pF. Kostnad): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Kollektorström: 50A. Ic(puls): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Märkning på höljet: K25T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!