FQAF11N90C

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	62.62kr	78.28kr
2 - 2	59.49kr	74.36kr
3 - 4	56.36kr	70.45kr
5 - 9	53.23kr	66.54kr
10 - 19	51.97kr	64.96kr
20 - 29	50.72kr	63.40kr
30 - 108	48.84kr	61.05kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	62.62kr	78.28kr
2 - 2	59.49kr	74.36kr
3 - 4	56.36kr	70.45kr
5 - 9	53.23kr	66.54kr
10 - 19	51.97kr	64.96kr
20 - 29	50.72kr	63.40kr
30 - 108	48.84kr	61.05kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 108

Set med 1

FQAF11N90C. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-3P. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQAF11N90C. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 0.91 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 30. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 08:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!