FQA11N90_F109

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	75.16kr	93.95kr
2 - 2	71.40kr	89.25kr
3 - 4	67.64kr	84.55kr
5 - 9	63.89kr	79.86kr
10 - 19	62.38kr	77.98kr
20 - 29	60.88kr	76.10kr
30 - 60	58.63kr	73.29kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	75.16kr	93.95kr
2 - 2	71.40kr	89.25kr
3 - 4	67.64kr	84.55kr
5 - 9	63.89kr	79.86kr
10 - 19	62.38kr	77.98kr
20 - 29	60.88kr	76.10kr
30 - 60	58.63kr	73.29kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 60

Set med 1

FQA11N90_F109. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA 11N90. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 140 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 340 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 08:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!