Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 11.51kr | 14.39kr |
5 - 9 | 10.93kr | 13.66kr |
10 - 24 | 10.36kr | 12.95kr |
25 - 49 | 9.78kr | 12.23kr |
50 - 71 | 9.55kr | 11.94kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 11.51kr | 14.39kr |
5 - 9 | 10.93kr | 13.66kr |
10 - 24 | 10.36kr | 12.95kr |
25 - 49 | 9.78kr | 12.23kr |
50 - 71 | 9.55kr | 11.94kr |
2SD667. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. obs: 9mm. Märkning på höljet: D667. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Epitaxial. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB647. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 01:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.