Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

2SC1962

2SC1962
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 21.89kr 27.36kr
5 - 5 20.79kr 25.99kr
Kvantitet U.P
1 - 4 21.89kr 27.36kr
5 - 5 20.79kr 25.99kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 5
Set med 1

2SC1962. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Kollektorström: 0.5A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Motsvarande produkter :

Slut i lager
BF460

BF460

Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, ma...
BF460
Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1
BF460
Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1
Set med 1
50.28kr moms incl.
(40.22kr exkl. moms)
50.28kr
Antal i lager : 871
MJE340

MJE340

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Ge...
MJE340
RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)
MJE340
RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)
Set med 1
7.10kr moms incl.
(5.68kr exkl. moms)
7.10kr
Antal i lager : 129
MJE340-ST

MJE340-ST

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-f...
MJE340-ST
Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.5A. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
MJE340-ST
Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.5A. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
11.96kr moms incl.
(9.57kr exkl. moms)
11.96kr
Slut i lager
BF461

BF461

Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, ma...
BF461
Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1
BF461
Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1
Set med 1
66.80kr moms incl.
(53.44kr exkl. moms)
66.80kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.