Standard- och likriktardioder

Framåtström (AV): 37A. IFSM: 375A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 35 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Snabb återhämtning". Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial diod". Driftstemperatur: -40...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 1.6V. Framspänning Vf (min): 1.4V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Framåtström (AV): 37A. IFSM: 375A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 35 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Snabb återhämtning". Pd (effektförlust, max): 138W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial diod". Driftstemperatur: -40...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.4V. Framspänning Vf (min): 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Framåtström (AV): 28A. IFSM: 200A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Snabb återhämtning". Pd (effektförlust, max): 138W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial diod". Driftstemperatur: -40...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.55V. Framspänning Vf (min): 2.2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Framåtström (AV): 60A. IFSM: 500A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 35 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Snabb återhämtning". Pd (effektförlust, max): 189W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial diod". Driftstemperatur: -40...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.3V. Framspänning Vf (min): 1.8V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Framåtström (AV): 52A. IFSM: 500A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Snabb återhämtning". Pd (effektförlust, max): 189W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial diod". Driftstemperatur: -40...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.55V. Framspänning Vf (min): 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Framåtström (AV): 30A. IFSM: 300A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: ja. Konditioneringsenhet: 25. Dielektrisk struktur: gemensam katod. Trr-diod (Min.): 35 ns. Dubbel: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Snabb återhämtning". MRT (max): 100uA. MRT (min): 50uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxialdiod (FRED) . Tröskelspänning Vf (max): 1.6V. Framspänning Vf (min): 1.4V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Framåtström (AV): 15A. IFSM: 90A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Diod "mjuk återhämtning". MRT (max): 0.5mA. MRT (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 95W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Driftstemperatur: -55...+175°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.75V. Framspänning Vf (min): 1.79V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Framåtström (AV): 70A. IFSM: 500A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Diod "mjuk återhämtning". MRT (max): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Driftstemperatur: -55...+175°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.66V. Framspänning Vf (min): 1.74V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Framåtström (AV): 60A. IFSM: 500A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 40 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Diod "mjuk återhämtning". MRT (max): 2.5mA. MRT (min): 650uA. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Driftstemperatur: -55...+175°C. Tröskelspänning Vf (max): 2.66V. Framspänning Vf (min): 1.74V. Konditioneringsenhet: 10. Antal terminaler: 2. Konfiguration: isolerat hus, utan borrning. Antal per fodral: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. VRRM: 1600V. Dielektrisk struktur: Vanlig anod-katod (mittpunkt). Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Standard Rectifier. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 1.5V. Framspänning Vf (min): 1.16V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Spec info: centralt ben (katod D1, anod D2, i serie)

Framåtström (AV): 6A. Forward current (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr-diod (Min.): 75 ns. Olika: Högspänningsdämpardiod. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT Horizontal Deflection. MRT (max): 1mA. MRT (min): 100uA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tröskelspänning Vf (max): 2.3V. Framspänning Vf (min): 1.5V. Antal terminaler: 2

Framåtström (AV): 15A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. obs: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. obs: Högspänningsdämpardiod

Framåtström (AV): 5A. IFSM: 75A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. VRRM: 1500V. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Trr-diod (Min.): 130 ns. Halvledarmaterial: kisel. Temperatur: +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tröskelspänning Vf (max): 1.5V. Framspänning Vf (min): 1.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Framåtström (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Halvledarmaterial: kisel. obs: SPEC.SONY DIODA. obs: SONY 871904678

Framåtström (AV): 1A. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. obs: 30Ap/8.3ms. obs: Högeffektiva likriktare

Framåtström (AV): 2A. Hölje: DO-15. Hölje (enligt datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Halvledarmaterial: kisel. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. obs: Gl, S. obs: 75Ap/8.3ms

Framåtström (AV): 2A. Hölje: DO-15. Hölje (enligt datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halvledarmaterial: kisel. obs: Gl, S. obs: 75Ap/8.3ms. Antal terminaler: 2. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

Framåtström (AV): 2A. Hölje: DO-15. Hölje (enligt datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Halvledarmaterial: kisel. obs: Gl, S. obs: 75Ap/8.3ms. Antal terminaler: 2. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

Framåtström (AV): 2A. Hölje: DO-15. Hölje (enligt datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halvledarmaterial: kisel. obs: Gl, S. obs: 75Ap/8.3ms. Antal terminaler: 2. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

Framåtström (AV): 5A. IFSM: 150A. Hölje: DO-201. Hölje (enligt datablad): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr-diod (Min.): 50 ns. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Ultra Fast Diode. obs: Gl, S. MRT (max): 50uA. MRT (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -65...+150°C. Tröskelspänning Vf (max): 1.25V. Framspänning Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Framåtström (AV): 1A. IFSM: 30A. Hölje: DO-41. Hölje (enligt datablad): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Antal per fodral: 1. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. MRT (max): 500uA. MRT (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tröskelspänning Vf (max): 1.1V. Framspänning Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap

Framåtström (AV): 2A. IFSM: 50A. Hölje: DO-214. Hölje (enligt datablad): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. MRT (max): 300uA. MRT (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tr: 75 ns. Driftstemperatur: -50...+150°C. Framspänning Vf (min): 1.7V

Framåtström (AV): 3A. IFSM: 100A. Hölje: DO-214. Hölje (enligt datablad): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anod-katod. Halvledarmaterial: kisel. MRT (max): 300uA. MRT (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tr: 75 ns. Driftstemperatur: -50...+150°C. Framspänning Vf (min): 1.7V

Framåtström (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Halvledarmaterial: kisel

VRRM: 400V. Halvledarmaterial: kisel. obs: SAMSUNG. obs: B29-04.79