SI4435DDY-T1-GE3
Kvantitet
Enhetspris
5-9
13.01kr
10-49
12.54kr
50-199
11.18kr
200-999
10.36kr
1000+
9.41kr
| Antal i lager: 191 |
SI4435DDY-T1-GE3. Drag: -. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. Hölje: SO8. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 11.4A. Information: -. MSL: -. Monteringstyp: SMD. Pd (effektförlust, max): 5W. Polaritet: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Vdss (Drain to Source Voltage): -30V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay Siliconix. Minsta kvantitet: 5. Antal i lager uppdaterad den 15/02/2026, 12:52
SI4435DDY-T1-GE3
10 parametrar
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
Hölje
SO8
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
11.4A
Monteringstyp
SMD
Pd (effektförlust, max)
5W
Polaritet
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Vdss (Drain to Source Voltage)
-30V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay Siliconix
Minsta kvantitet
5