SI2333CDS-T1-E3
Kvantitet
Enhetspris
5-9
10.85kr
10-49
9.71kr
50-199
8.78kr
200-2999
8.18kr
3000+
6.38kr
| Antal i lager: 2925 |
SI2333CDS-T1-E3. Drag: -. Grind/källa spänning Vgs max: ±8V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 7.1A. Information: -. MSL: -. Monteringstyp: Ytmontering. Polaritet: MOSFET P. Serie: TrenchFET. Vdss (Drain to Source Voltage): 12V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay Siliconix. Minsta kvantitet: 5. Antal i lager uppdaterad den 15/02/2026, 12:52
SI2333CDS-T1-E3
8 parametrar
Grind/källa spänning Vgs max
±8V
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
7.1A
Monteringstyp
Ytmontering
Polaritet
MOSFET P
Serie
TrenchFET
Vdss (Drain to Source Voltage)
12V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay Siliconix
Minsta kvantitet
5