QSE113

QSE113

Kvantitet
Enhetspris
1-99
17.30kr
100+
10.31kr
Antal i lager: 407

QSE113. Antal terminaler: 2. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 8us. Dominant våglängd [nm]: 880nm. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±25°. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Komponentfamilj: fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +100°C.. RoHS: ja. Samlarström Ic [A], max.: 1.5mA. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 8us. Ytterbredd [mm]: 4.44mm. Ytterdiameter [mm]: -. Yttre längd [mm]: 5.08mm. Yttre tjocklek [mm]: 2.54mm. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi (fairchild). Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:50

Teknisk dokumentation (PDF)
QSE113
15 parametrar
Antal terminaler
2
Avstängningsfördröjning tf [μsek.]
8us
Dominant våglängd [nm]
880nm
Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]
±25°
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
30 v
Komponentfamilj
fototransistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+100°C.
RoHS
ja
Samlarström Ic [A], max.
1.5mA
Tillkopplingstid tr [μsek.]
8us
Ytterbredd [mm]
4.44mm
Yttre längd [mm]
5.08mm
Yttre tjocklek [mm]
2.54mm
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi (fairchild)