NPN-transistor TIP122G, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Hölje: TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. CE-diod: ja. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 1000. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 65W. FT: kHz. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 8A. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Kostnad): 200pF. MSL: -. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Nuvarande Max 1: 5A. Pd (effektförlust, max): 65W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Serie: TIP122G. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127G. Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: TIP122G. Typ av transistor: NPN. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 100V. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08