NPN-transistor TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V

NPN-transistor TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.95kr
5-24
13.02kr
25-49
11.45kr
50-99
10.36kr
100+
8.93kr
Antal i lager: 81

NPN-transistor TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: switching, ljudförstärkare. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 15A. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP107. Temperatur: +150°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 19:08

TIP102G
25 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2)
CE-diod
ja
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
Funktion
switching, ljudförstärkare
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
15A
Max hFE-förstärkning
20000
Minsta hFE-förstärkning
1000
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Pd (effektförlust, max)
80W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) TIP107
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
100V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor