NPN-transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

NPN-transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
6.86kr
5-49
5.53kr
50-99
4.81kr
100-499
4.39kr
500+
3.72kr
Antal i lager: 967

NPN-transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 130 MHz. Funktion: Lågspänningssnabbväxlande NPN-effekttransistor. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 10A. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Kostnad): 215pF. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 30. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Mättnadsspänning VCE(lat): 0.32V. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

STN851
26 parametrar
Kollektorström
5A
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
130 MHz
Funktion
Lågspänningssnabbväxlande NPN-effekttransistor
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
10A
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
1000
Kostnad)
215pF
Max hFE-förstärkning
350
Minsta hFE-förstärkning
30
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.32V
Pd (effektförlust, max)
1.6W
RoHS
ja
Typ av transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics