NPN-transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

NPN-transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Kvantitet
Enhetspris
10-24
0.93kr
25-49
0.84kr
50-99
0.79kr
100+
0.62kr
Antal i lager: 51
Minimum: 10

NPN-transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. C(tum): 30pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 250 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 0.8A. Kostnad): 8pF. Max hFE-förstärkning: 300. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.75V. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: p2X, t2X, W2X. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Spec info: screentryck/SMD-kod P2X, T2X, W2X, komplementär transistor (par) PMBT4401. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: Nxp Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 02:22

Teknisk dokumentation (PDF)
PMBT4401
27 parametrar
Kollektorström
0.6A
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
C(tum)
30pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
250 MHz
Funktion
Höghastighetsomkoppling
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
0.8A
Kostnad)
8pF
Max hFE-förstärkning
300
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.75V
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
p2X, t2X, W2X
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
0.25W
Spec info
screentryck/SMD-kod P2X, T2X, W2X, komplementär transistor (par) PMBT4401
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
Nxp Semiconductors
Minsta kvantitet
10