NPN-transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.99kr
50-99
0.86kr
100-199
0.78kr
200+
0.66kr
Antal i lager: 79
Minimum: 10

NPN-transistor PDTC144ET, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 100mA. Minsta hFE-förstärkning: 80. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: *08. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod P08/T08. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:03

Teknisk dokumentation (PDF)
PDTC144ET
23 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
kHz
Funktion
Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
100mA
Minsta hFE-förstärkning
80
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
*08
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.15V
Pd (effektförlust, max)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod P08/T08
Typ av transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
10V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors
Minsta kvantitet
10