NPN-transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

NPN-transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
5.11kr
5-9
3.87kr
10-24
3.50kr
25+
3.12kr
Antal i lager: 2893

NPN-transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. FT: kHz. Funktion: transistor med bias resistor nätverk. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 8B. Obs: B1GBCFLL0035. Pd (effektförlust, max): 338mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 8B. Teknik: Digitala transistorer (BRT). Temperatur: +150°C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 parametrar
Kollektorström
0.1A
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
FT
kHz
Funktion
transistor med bias resistor nätverk
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
100
Minsta hFE-förstärkning
60
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
8B
Obs
B1GBCFLL0035
Pd (effektförlust, max)
338mW
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod 8B
Teknik
Digitala transistorer (BRT)
Temperatur
+150°C
Typ av transistor
NPN
Vcbo
50V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor