NPN-transistor MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v

NPN-transistor MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v

Kvantitet
Enhetspris
1-4
3.44kr
5-49
2.88kr
50-99
2.51kr
100-199
2.27kr
200+
1.95kr
+5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 161

NPN-transistor MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v. Hölje: TO-92. Kollektorström: 500mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 500mA. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 0.625W. FT: 125 MHz. Funktion: allmänt syfte. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 20000. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Minsta hFE-förstärkning: 10000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 30V. Teknik: Darlington transistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 22:19

MPSA14
28 parametrar
Hölje
TO-92
Kollektorström
500mA
Hölje (enligt datablad)
TO-92
Kollektor-/emitterspänning Vceo
30 v
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
500mA
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Effekt
0.625W
FT
125 MHz
Funktion
allmänt syfte
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
20000
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1.5V
Minsta hFE-förstärkning
10000
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
0.625W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
30V
Teknik
Darlington transistor
Typ av transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
10V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor