NPN-transistor MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA

NPN-transistor MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA

Kvantitet
Enhetspris
1-99
2.64kr
100-999
1.39kr
1000-2999
0.75kr
3000+
0.64kr
Antal i lager: 8815

NPN-transistor MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA. Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: G1. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:50

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBT5551LT1G
13 parametrar
Hölje
SOT-23
Samlarström Ic [A], max.
600mA
Antal terminaler
3
Gränsfrekvens ft [MHz]
100 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-236
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
160V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
G1
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi