NPN-transistor MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Kollektorström: 0.5A. Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 0.6A. Driftstemperatur: -55...+150°C. Effekt: 350mW. Ekvivalenta: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Komponentfamilj: PNP transistor. Konditioneringsenhet: 3000. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Kostnad): 6pF. Max hFE-förstärkning: 240. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 2 L. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Pd (effektförlust, max): 300mW. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod (2Lx datumkod). Spänning (Collector - Emitter): 150V. Tillverkarens märkning: 2L. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37