NPN-transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

NPN-transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.41kr
50-99
0.34kr
100+
0.30kr
Antal i lager: 1003
Minimum: 10

NPN-transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 0.9A. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Kostnad): 80pF. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 2x. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/CMS-kod 2X. Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37

MMBT4401LT1G
30 parametrar
Kollektorström
0.6A
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
40V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
250 MHz
Funktion
Switchande transistor
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
0.9A
Konditionering
rulla
Konditioneringsenhet
3000
Kostnad)
80pF
Max hFE-förstärkning
300
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
2x
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
300mW
RoHS
ja
Spec info
screentryck/CMS-kod 2X
Tf(max)
30 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor
Minsta kvantitet
10