NPN-transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

NPN-transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.46kr
50-99
0.38kr
100-199
0.33kr
200+
0.28kr
+4234 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 278
Minimum: 10

NPN-transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Kollektorström: 0.2A. Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 0.2A. Effekt: 300mW. FT: 300 MHz. Frekvens: 300MHz. Funktion: UNI. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Kostnad): 1.6pF. Max hFE-förstärkning: 300. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 1AM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spec info: SMD 1AM. Spänning (Collector - Emitter): 40V. Tillverkarens märkning: 1AM. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBT3904LT1G
37 parametrar
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Samlarström Ic [A], max.
200mA
Kollektorström
0.2A
Hölje (enligt datablad)
SOT-23
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
0.2A
Effekt
300mW
FT
300 MHz
Frekvens
300MHz
Funktion
UNI
Gränsfrekvens ft [MHz]
300 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-236
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
40V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Kostnad)
1.6pF
Max hFE-förstärkning
300
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.225W
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
1AM
Pd (effektförlust, max)
0.2W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spec info
SMD 1AM
Spänning (Collector - Emitter)
40V
Tillverkarens märkning
1AM
Typ av transistor
NPN
Vcbo
40V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor
Minsta kvantitet
10