NPN-transistor MMBT3904, SOT-23, 40V, 200mA

NPN-transistor MMBT3904, SOT-23, 40V, 200mA

Kvantitet
Enhetspris
10-99
0.83kr
100-499
0.41kr
500-2999
0.35kr
3000+
0.32kr
+60651 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 5590
Minimum: 10

NPN-transistor MMBT3904, SOT-23, 40V, 200mA. Hölje: SOT-23. Collector-Emitter Voltage VCEO: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Antal terminaler: 3. Bandbredd MHz: 300MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 100. Effekt: 0.35W. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Monteringstyp: SMD. Nuvarande Max 1: 0.2A. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: 1AM. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. VCBO med kollektorbas: 60V. Originalprodukt från tillverkaren: Diotec. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 12/11/2025, 20:55

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBT3904
23 parametrar
Hölje
SOT-23
Collector-Emitter Voltage VCEO
40V
Samlarström Ic [A], max.
200mA
Antal terminaler
3
Bandbredd MHz
300MHz
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
100
Effekt
0.35W
Gränsfrekvens ft [MHz]
300 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-236
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
40V
Komponentfamilj
NPN-transistor
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.35W
Monteringstyp
SMD
Nuvarande Max 1
0.2A
Polaritet
NPN
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
1AM
Typ
transistor för lågeffektapplikationer
VCBO med kollektorbas
60V
Originalprodukt från tillverkaren
Diotec
Minsta kvantitet
10