NPN-transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

NPN-transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
10-49
0.34kr
50-99
0.29kr
100+
0.26kr
Antal i lager: 1009
Minimum: 10

NPN-transistor MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 200 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 1.2A. Kostnad): 1.6pF. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: 2F. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37

Teknisk dokumentation (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 parametrar
Kollektorström
0.6A
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
200 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
1.2A
Kostnad)
1.6pF
Max hFE-förstärkning
300
Minsta hFE-förstärkning
100
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
2F
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
225mW
RoHS
ja
Spec info
SMD '2F'
Typ av transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor
Minsta kvantitet
10