| Antal i lager: 11 |
NPN-transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
58.51kr
5-14
51.15kr
15-29
46.16kr
30-59
42.73kr
60+
37.94kr
| Slut i lager | |
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Få ett meddelande via e-post när denna produkt finns i lager igen! | |
NPN-transistor MJW3281AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 25A. Kostnad): 2.8pF. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Pd (effektförlust, max): 200W. Produktionsdatum: 201444 201513. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW1302A. Teknik: Power bipolär transistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37
MJW3281AG
27 parametrar
Kollektorström
15A
Hölje
TO-247
Hölje (enligt datablad)
TO-247
Kollektor-/emitterspänning Vceo
230V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
Kompletterande bipolär krafttransistor
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
25A
Kostnad)
2.8pF
Max hFE-förstärkning
200
Minsta hFE-förstärkning
50
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.4V
Pd (effektförlust, max)
200W
Produktionsdatum
201444 201513
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJW1302A
Teknik
Power bipolär transistor
Typ av transistor
NPN
Vcbo
230V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor
Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för MJW3281AG
| Antal i lager: 30 |