NPN-transistor MJL4281A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V

NPN-transistor MJL4281A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
99.31kr
5-9
91.95kr
10-24
79.10kr
25+
74.15kr
Antal i lager: 30

NPN-transistor MJL4281A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -60...+150°C. FT: 35 MHz. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 30A. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4302A. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:37

Teknisk dokumentation (PDF)
MJL4281A
27 parametrar
Kollektorström
15A
Hölje
TO-264 ( TOP-3L )
Hölje (enligt datablad)
TO-264
Kollektor-/emitterspänning Vceo
350V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-60...+150°C
FT
35 MHz
Funktion
Effektljud, låg harmonisk distorsion
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
30A
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
25
Max hFE-förstärkning
250
Minsta hFE-förstärkning
50
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Pd (effektförlust, max)
230W
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJL4302A
Teknik
Silicon Power Bipolar Transistor
Typ av transistor
NPN
Vcbo
350V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor