NPN-transistor MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

NPN-transistor MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
28.55kr
5-24
25.19kr
25-49
23.11kr
50-99
21.60kr
100+
19.22kr
Antal i lager: 22

NPN-transistor MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Halvledarmaterial: kisel. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 50. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Tf(min): 2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27

Teknisk dokumentation (PDF)
MJE5742
24 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
BE-motstånd
100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2)
CE-diod
ja
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
Halvledarmaterial
kisel
Konditionering
plaströr
Konditioneringsenhet
50
Max hFE-förstärkning
400
Minsta hFE-förstärkning
50
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Pd (effektförlust, max)
80W
RoHS
ja
Tf(min)
2us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
400V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor