NPN-transistor MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Samlarström Ic [A], max.: 4mA. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. Effekt: 15W. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Gränsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 8A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 180. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 40MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.015W. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 15W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE253. Tillverkarens märkning: MJE243G. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27