NPN-transistor MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 65MHz. Funktion: -. Halvledarmaterial: kisel. Kostnad): 80pF. Max hFE-förstärkning: 180. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Minsta hFE-förstärkning: 45. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE210. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27