NPN-transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

NPN-transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
37.39kr
5-24
32.51kr
25-49
29.02kr
50+
27.97kr
Antal i lager: 11

NPN-transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. C(tum): 1750pF. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -60...+150°C. FT: 13MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Kostnad): 100pF. Max hFE-förstärkning: 14. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Minsta hFE-förstärkning: 34. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 09:27

MJE18008
23 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Kollektor-/emitterspänning Vceo
450V
Antal per fodral
1
BE-diod
nej
C(tum)
1750pF
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-60...+150°C
FT
13MHz
Funktion
Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
16A
Kostnad)
100pF
Max hFE-förstärkning
14
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
0.6V
Minsta hFE-förstärkning
34
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
120W
RoHS
ja
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1000V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor