NPN-transistor MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A
Kvantitet
Enhetspris
1+
20.77kr
| +45 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 211 |
NPN-transistor MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A. Hölje: TO-220AB. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 5A. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Ansökningar: växlande. Antal terminaler: 3. Effekt: 75W. Gränsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJE18004G. Typ av transistor: Krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27
MJE18004G
19 parametrar
Hölje
TO-220AB
Collector-Emitter Voltage VCEO
1000V
Kollektorström
5A
Samlarström Ic [A], max.
5A
Ansökningar
växlande
Antal terminaler
3
Effekt
75W
Gränsfrekvens ft [MHz]
13 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
450V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
75W
Polaritet
NPN
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
MJE18004G
Typ av transistor
Krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi