NPN-transistor MJE13009G, TO-220, 12A

NPN-transistor MJE13009G, TO-220, 12A

Kvantitet
Enhetspris
1+
36.69kr
Antal i lager: 20

NPN-transistor MJE13009G, TO-220, 12A. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJE13009G. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27

Teknisk dokumentation (PDF)
MJE13009G
13 parametrar
Hölje
TO-220
Samlarström Ic [A], max.
12A
Antal terminaler
3
Gränsfrekvens ft [MHz]
4 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
400V
Komponentfamilj
högspännings NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
100W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
MJE13009G
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi