NPN-transistor MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A

NPN-transistor MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A

Kvantitet
Enhetspris
1+
34.67kr
+88 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 252

NPN-transistor MJE13007G, 400V, TO-220AB, 8A, 8A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Hölje: TO-220AB. Kollektorström: 8A. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Antal terminaler: 3. Effekt: 80W. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maxfrekvens: 14 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJE13007G. Typ av transistor: Krafttransistor. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27

Teknisk dokumentation (PDF)
MJE13007G
19 parametrar
Collector-Emitter Voltage VCEO
400V
Hölje
TO-220AB
Kollektorström
8A
Samlarström Ic [A], max.
8A
Antal terminaler
3
Effekt
80W
Gränsfrekvens ft [MHz]
4 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
400V
Komponentfamilj
högspännings NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maxfrekvens
14 MHz
Maximal förlust Ptot [W]
80W
Polaritet
NPN
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
MJE13007G
Typ av transistor
Krafttransistor
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi