NPN-transistor MJ802G, TO-3, 30A

NPN-transistor MJ802G, TO-3, 30A

Kvantitet
Enhetspris
1-9
206.34kr
10+
156.27kr
Antal i lager: 82

NPN-transistor MJ802G, TO-3, 30A. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 30A. Antal terminaler: 3. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +200°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJ802G. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27

Teknisk dokumentation (PDF)
MJ802G
13 parametrar
Hölje
TO-3
Samlarström Ic [A], max.
30A
Antal terminaler
3
Gränsfrekvens ft [MHz]
2 MHz
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-204AA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
90V
Komponentfamilj
NPN Power Transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+200°C.
Maximal förlust Ptot [W]
200W
RoHS
ja
Tillverkarens märkning
MJ802G
Originalprodukt från tillverkaren
Onsemi