NPN-transistor MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V

NPN-transistor MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
147.03kr
5-9
135.64kr
10-24
126.58kr
25-49
118.87kr
50+
108.39kr
+102 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 7

NPN-transistor MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Collector-Emitter Voltage VCEO: 140V. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Kollektorström: 20A. Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. Bandbredd MHz: 2MHz. CE-diod: nej. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Driftstemperatur: -65...+200°C. Effekt: 250W. FT: 2 MHz. Funktion: Krafttransistor. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Information: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. MSL: -. Max hFE-förstärkning: 150. Max temperatur: +200°C.. Maxfrekvens: 2MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: Chassifäste. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Nuvarande Max 1: 20A. Pd (effektförlust, max): 250W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15004. Tillverkarens märkning: MJ15003G. Typ av transistor: NPN. Typ: Effekt. VCBO med kollektorbas: 140V. Vcbo: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:05

Teknisk dokumentation (PDF)
MJ15003G
43 parametrar
Hölje
TO-3 ( TO-204 )
Collector-Emitter Voltage VCEO
140V
Samlarström Ic [A], max.
20A
Kollektorström
20A
Hölje (enligt datablad)
TO-3
Kollektor-/emitterspänning Vceo
140V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
Bandbredd MHz
2MHz
CE-diod
nej
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
25
Driftstemperatur
-65...+200°C
Effekt
250W
FT
2 MHz
Funktion
Krafttransistor
Gränsfrekvens ft [MHz]
2 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-204AA
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
140V
Komponentfamilj
högspännings NPN-transistor
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
150
Max temperatur
+200°C.
Maxfrekvens
2MHz
Maximal förlust Ptot [W]
250W
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
Chassifäste
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Nuvarande Max 1
20A
Pd (effektförlust, max)
250W
Polaritet
NPN
RoHS
ja
Spec info
komplementär transistor (par) MJ15004
Tillverkarens märkning
MJ15003G
Typ av transistor
NPN
Typ
Effekt
VCBO med kollektorbas
140V
Vcbo
140V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor