NPN-transistor MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Hölje: TO-3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 120V. Kollektorström: 50A. Samlarström Ic [A], max.: 50A. Antal terminaler: 3. Effekt: 300W. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +200°C.. Maxfrekvens: 30MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Polaritet: NPN. RoHS: ja. Tillverkarens märkning: MJ11032G. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Typ: Darlington transistor. Originalprodukt från tillverkaren: Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:27