NPN-transistor MJ11016, TO3, 120V
Kvantitet
Enhetspris
1-1
168.18kr
2-19
156.29kr
20-49
136.75kr
50-99
132.50kr
100+
126.56kr
| +5 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 10 |
NPN-transistor MJ11016, TO3, 120V. Hölje: TO3. Collector-Emitter Voltage VCEO: 120V. Bandbredd MHz: 4MHz. Collector Current IC [A]: 30A. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Effekt: 200W. Information: -. Konditionering: -. MSL: -. Montering/installation: THT. Monteringstyp: Chassifäste. Nuvarande Max 1: 30A. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Serie: MJ11016. Spänning (Collector - Emitter): 120V. Typ av transistor: Darlington transistor. Typ: Darlington transistor. VCBO med kollektorbas: 120V. Originalprodukt från tillverkaren: Various. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:37
MJ11016
17 parametrar
Hölje
TO3
Collector-Emitter Voltage VCEO
120V
Bandbredd MHz
4MHz
Collector Current IC [A]
30A
DC Collector/Base Gain Hfe Min.
200
Effekt
200W
Montering/installation
THT
Monteringstyp
Chassifäste
Nuvarande Max 1
30A
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Serie
MJ11016
Spänning (Collector - Emitter)
120V
Typ av transistor
Darlington transistor
Typ
Darlington transistor
VCBO med kollektorbas
120V
Originalprodukt från tillverkaren
Various