NPN-transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

NPN-transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
65.25kr
5-9
57.74kr
10-24
53.39kr
25+
49.67kr
Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen
Slut i lager

NPN-transistor MJ10005, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+200°C. FT: kHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 30A. Kostnad): 2.5pF. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Pd (effektförlust, max): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Tf(max): 0.6us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 650V. Vebo: 8V. Originalprodukt från tillverkaren: Mospec Semiconductor Corp. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:05

Teknisk dokumentation (PDF)
MJ10005
25 parametrar
Kollektorström
20A
Hölje
TO-3 ( TO-204 )
Hölje (enligt datablad)
TO-3 ( TO–204AE )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
450V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+200°C
FT
kHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
30A
Kostnad)
2.5pF
Max hFE-förstärkning
400
Minsta hFE-förstärkning
40
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
2V
Pd (effektförlust, max)
175W
Spec info
Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms
Tf(max)
0.6us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
650V
Vebo
8V
Originalprodukt från tillverkaren
Mospec Semiconductor Corp.