NPN-transistor MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

NPN-transistor MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.90kr
5-14
19.76kr
15-29
17.63kr
30+
15.51kr
Antal i lager: 117

NPN-transistor MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Funktion: FAST-SWITCH. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Max hFE-förstärkning: 18. Minsta hFE-förstärkning: 5. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:05

Teknisk dokumentation (PDF)
MD2009DFX
25 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
TO-3PF
Kollektor-/emitterspänning Vceo
700V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Funktion
FAST-SWITCH
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
16A
Max hFE-förstärkning
18
Minsta hFE-förstärkning
5
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.3V
Pd (effektförlust, max)
58W
RoHS
ja
Spec info
ICM--16A (tp=5ms)
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.3us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics