NPN-transistor FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V

NPN-transistor FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
21.85kr
5-24
19.22kr
25-49
17.32kr
50-99
15.73kr
100+
13.38kr
Antal i lager: 139

NPN-transistor FJP13007H1, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -...+150°C. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 16A. Kostnad): 110pF. Max hFE-förstärkning: 28. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Minsta hFE-förstärkning: 15. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: J13007-1. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 16:41

Teknisk dokumentation (PDF)
FJP13007H1
27 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
400V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-...+150°C
FT
4 MHz
Funktion
Snabbväxling med hög spänning
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
16A
Kostnad)
110pF
Max hFE-förstärkning
28
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
3V
Minsta hFE-förstärkning
15
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
J13007-1
Mättnadsspänning VCE(lat)
1V
Pd (effektförlust, max)
100W
RoHS
ja
Tf(max)
0.7us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild