NPN-transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

NPN-transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

Kvantitet
Enhetspris
1-1
417.14kr
2-4
406.02kr
5-9
400.54kr
10-19
395.94kr
20+
388.87kr
Antal i lager: 22

NPN-transistor ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Samlarström Ic [A], max.: 100A. Kollektorström: 100A. Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 4. Antal terminaler: 4. Darlington-transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-transistormodul. Gränsfrekvens ft [MHz]: -. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 150A. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Skruvad. Max hFE-förstärkning: 300. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 225W. Minsta hFE-förstärkning: 300. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.25V. Obs: Skruvad. Pd (effektförlust, max): 225W. RoHS: ja. Spec info: Single Dual Emitter. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Tillverkarens märkning: ESM3030DV. Typ av transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 7V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:25

Teknisk dokumentation (PDF)
ESM3030DV
34 parametrar
Hölje
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Samlarström Ic [A], max.
100A
Kollektorström
100A
Hölje (enligt datablad)
ISOTOP ( SOT-227 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
400V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
4
Antal terminaler
4
Darlington-transistor?
ja
FT
kHz
Funktion
Power Darlington NPN-transistormodul
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
150A
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
300V
Komponentfamilj
Darlington NPN Power Transistor
Konfiguration
Skruvad
Max hFE-förstärkning
300
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
225W
Minsta hFE-förstärkning
300
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.25V
Obs
Skruvad
Pd (effektförlust, max)
225W
RoHS
ja
Spec info
Single Dual Emitter
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.35us
Tillverkarens märkning
ESM3030DV
Typ av transistor
NPN & NPN
Vcbo
300V
Vebo
7V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics