NPN-transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
10-24
0.72kr
25-49
0.65kr
50-99
0.58kr
100+
0.43kr
Antal i lager: 2782
Minimum: 10

NPN-transistor DTC143TT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. BE-motstånd: -. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 200. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Motstånd B: 4.7k Ohms. Märkning på höljet: *33, P33, t33, w33. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Obs: screentryck/SMD-kod 33. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:16

DTC143TT
26 parametrar
Kollektorström
100mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
kHz
Funktion
Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd
Halvledarmaterial
kisel
Minsta hFE-förstärkning
200
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Motstånd B
4.7k Ohms
Märkning på höljet
*33, P33, t33, w33
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.1V
Obs
screentryck/SMD-kod 33
Pd (effektförlust, max)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open)
Typ av transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors
Minsta kvantitet
10