NPN-transistor BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

NPN-transistor BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
12.35kr
5-24
10.37kr
25-49
9.08kr
50-99
8.16kr
100+
6.84kr
+115 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 74

NPN-transistor BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Kollektorström: 2A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Collector Current IC [A]: 2A. Effekt: 40W. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 3A. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konditionering: tubus. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max hFE-förstärkning: 50. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Minsta hFE-förstärkning: 30. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Pd (effektförlust, max): 50W. Polaritet: bipolär. RoHS: ja. Spänning (Collector - Emitter): 1kV. Tillverkarens märkning: BUX85G. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 18:16

Teknisk dokumentation (PDF)
BUX85
36 parametrar
Hölje
TO-220
Samlarström Ic [A], max.
2A
Kollektorström
2A
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Kollektor-/emitterspänning Vceo
450V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
nej
Collector Current IC [A]
2A
Effekt
40W
FT
4 MHz
Funktion
S-L
Gränsfrekvens ft [MHz]
4 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
3A
Kapsling (JEDEC-standard)
TO-220
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
450V
Komponentfamilj
högspännings NPN-transistor
Konditionering
tubus
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max hFE-förstärkning
50
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
50W
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1V
Minsta hFE-förstärkning
30
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.8V
Pd (effektförlust, max)
50W
Polaritet
bipolär
RoHS
ja
Spänning (Collector - Emitter)
1kV
Tillverkarens märkning
BUX85G
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1000V
Originalprodukt från tillverkaren
ON Semiconductor

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BUX85