NPN-transistor BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: ja. FT: 13 MHz. Funktion: Höghastighets, bipolär NPN-effekttransistor med hög förstärkning. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 10A. Kostnad): 50pF. Max hFE-förstärkning: 34. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Minsta hFE-förstärkning: 22. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.28V. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V. Originalprodukt från tillverkaren: ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:57