NPN-transistor BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1600V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 4A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. BE-diod: nej. CE-diod: nej. Effekt: 90W. Funktion: högspänning snabb omkoppling, för att byta strömförsörjning. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 6A. Max hFE-förstärkning: 40. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Minsta hFE-förstärkning: 10. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Pd (effektförlust, max): 90W. Polaritet: NPN. Temperatur: +150°C. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:31