NPN-transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

NPN-transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
96.89kr
5-9
88.72kr
10-24
81.06kr
25-49
76.13kr
50+
67.61kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 7

NPN-transistor BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 2. BE-motstånd: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. FT: kHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 10A. Max hFE-förstärkning: 230. Minsta hFE-förstärkning: 60. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BU808DFX
25 parametrar
Kollektorström
8A
Hölje
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Hölje (enligt datablad)
ISOWATT218FX
Kollektor-/emitterspänning Vceo
700V
Antal per fodral
2
Antal terminaler
2
BE-motstånd
42 Ohms
Darlington-transistor?
ja
FT
kHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
10A
Max hFE-förstärkning
230
Minsta hFE-förstärkning
60
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
1.6V
Pd (effektförlust, max)
62W
RoHS
ja
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.8us
Tf(min)
0.2us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1400V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för BU808DFX