NPN-transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

NPN-transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
30.50kr
5-24
26.52kr
25-49
23.67kr
50+
20.96kr
Antal i lager: 311

NPN-transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. FT: kHz. Funktion: Högspänningsväxling med hög hastighet. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 25A. Max hFE-förstärkning: 13. Minsta hFE-förstärkning: 5. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Obs: Isolationsspänning 2500V. Pd (effektförlust, max): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Teknik: Krafttransistor. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 12:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BU2520DF-PHI
25 parametrar
Kollektorström
10A
Hölje
SOT-199
Hölje (enligt datablad)
SOT-199
Kollektor-/emitterspänning Vceo
800V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
FT
kHz
Funktion
Högspänningsväxling med hög hastighet
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
25A
Max hFE-förstärkning
13
Minsta hFE-förstärkning
5
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
5V
Obs
Isolationsspänning 2500V
Pd (effektförlust, max)
45W
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Teknik
Krafttransistor
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.5us
Tf(min)
0.35us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
13.5V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors