NPN-transistor BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

NPN-transistor BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Kvantitet
Enhetspris
10-24
1.01kr
25-99
0.70kr
100-249
0.59kr
250+
0.53kr
Antal i lager: 2367
Minimum: 10

NPN-transistor BSV52, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorström: 250mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -55...+150°C. FT: 400 MHz. Funktion: allmänt syfte. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 25. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: B2. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Pd (effektförlust, max): 0.225mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod B2. Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Minsta kvantitet: 10. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BSV52
24 parametrar
Kollektorström
250mA
Hölje
SOT-23 ( TO-236 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
12V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-55...+150°C
FT
400 MHz
Funktion
allmänt syfte
Halvledarmaterial
kisel
Max hFE-förstärkning
120
Minsta hFE-förstärkning
25
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
B2
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.3V
Pd (effektförlust, max)
0.225mW
RoHS
ja
Spec info
screentryck/SMD-kod B2
Tf(max)
18 ns
Tf(min)
12us
Typ av transistor
NPN
Vcbo
20V
Originalprodukt från tillverkaren
Fairchild
Minsta kvantitet
10