NPN-transistor BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

NPN-transistor BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
10.21kr
5-24
8.92kr
25-49
7.98kr
50-99
7.21kr
100+
5.83kr
Antal i lager: 19

NPN-transistor BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. BE-diod: nej. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. FT: 200 MHz. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 2A. Max hFE-förstärkning: 2000. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren: Philips Semiconductors. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BSR51
24 parametrar
Kollektorström
1A
Hölje
TO-92
Hölje (enligt datablad)
TO-92 ( SOT-54 )
Kollektor-/emitterspänning Vceo
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
BE-diod
nej
CE-diod
ja
Darlington-transistor?
ja
Driftstemperatur
-65...+150°C
FT
200 MHz
Halvledarmaterial
kisel
Ic(puls)
2A
Max hFE-förstärkning
2000
Maximal mättnadsspänning VCE(sat)
1.3V
Minsta hFE-förstärkning
1000
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
0.83W
Tf(max)
1300 ns
Tf(min)
500 ns
Typ av transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Originalprodukt från tillverkaren
Philips Semiconductors