NPN-transistor BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

NPN-transistor BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
11.94kr
5-49
9.47kr
50-99
8.55kr
100+
7.64kr
+697 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 39

NPN-transistor BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Hölje: TO-50. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Kollektorström: 0.025A. Hölje (enligt datablad): TO-50-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Darlington-transistor?: nej. FT: 3.2GHz. Funktion: Bredbands RF-förstärkare upp till GHz-intervall.. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3.2GHz. Halvledarmaterial: kisel. Kapsling (JEDEC-standard): -. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Komponentfamilj: NPN -transistor med hög frekvens. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Max hFE-förstärkning: 150. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Minsta hFE-förstärkning: 20. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: nej. Spec info: "Planar RF Transistor". Temperatur: +150°C. Tillverkarens märkning: BFW92A. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 25V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 13:31

Teknisk dokumentation (PDF)
BFW92A
30 parametrar
Hölje
TO-50
Samlarström Ic [A], max.
25mA
Kollektorström
0.025A
Hölje (enligt datablad)
TO-50-3
Kollektor-/emitterspänning Vceo
25V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Antal terminaler
3
Darlington-transistor?
nej
FT
3.2GHz
Funktion
Bredbands RF-förstärkare upp till GHz-intervall.
Gränsfrekvens ft [MHz]
3.2GHz
Halvledarmaterial
kisel
Kollektor-emitterspänning Uceo [V]
15V
Komponentfamilj
NPN -transistor med hög frekvens
Konfiguration
ytmonterad komponent (SMD)
Max hFE-förstärkning
150
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
0.3W
Minsta hFE-förstärkning
20
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Mättnadsspänning VCE(lat)
0.1V
Pd (effektförlust, max)
300mW
RoHS
nej
Spec info
"Planar RF Transistor"
Temperatur
+150°C
Tillverkarens märkning
BFW92A
Typ av transistor
NPN
Vcbo
25V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay